单片机晶振电容要多大才会正常起振(单片机晶振电容选择)

单片机12M晶振的复位电路中所带的电容与电阻分别应该为多大?

1、晶振中是不会带有复位电路的，单片机复位电路中的电容与电阻参数要根据单片机要求的复位时间来确定。但是阻容复位现在已经属于被淘汰的落后复位方式，可靠性不好。

2、复位电路与工作频率是无关的，只要合符单片机需要的最小复位时间即可。一般复位时间会在单片机PDF中说明，不同单片机有不同的复位时间一般5~10ms即可。

3、太大了，不能起振。一般在20~100pf之间选择，但有60~70时较稳定 。而典型的是30pf左右。复位电容和电阻都 太小了。最好选择典型的，至少要保证最小系统能工作，不然单片机还不正常，你的程序有没错，更不能确定了。

4、我一般用的就是10k的电阻，1uf的电容，这种RC组成的上电复位电路简单可靠，对参数的要求也不是很严格，只要电容充电时间大于两个机器周期以上的时间，就能复位了。

单片机最小系统为什么晶振要加电容

晶振旁边的电容有协助起振与稳定振荡的作用。一般频率高的会用较低的电容、频率低的会用较高的电容。电容过大会使信号衰减、并因吸收能量过大而抑制振汤。

晶振加电容的主要目的是滤波，这样可以使得晶振输出的波形更加平滑，方便给予单片机适用的信号，至于大小应该是一个经验值，这样的滤波效果最好，上下小幅度改变电容大小对系统影响不大。

主要作用是平衡晶振引脚的电感的。因为晶振在高频工作时有寄生电感，为了平衡电感，起到谐振的作用。所以要用两个小电容来平衡电感。一般电容的选20pf--30pf的就可以了。具体的大小请参看晶振厂家提供的数据手册。

单片机STC89C52的晶振边上加的电容容值可以大吗

比较普遍的都是用30PF，高频瓷片电容15到30均可，主要是稳定波形，耐压高于电源电压就可以。

外部一般接2只负载电容，容值推荐16PF~30PF之间均可。就用市场上最常见偏宜的瓷片电容即可。

stc89c52，***用5v，供电。电压或高或低；很容易对复位电路产生影响；另外晶振应选用10592MHZ的，两脚对地电容***用30P的。

mega16单片机把8m晶振改成12m晶振电容应该从30pf改成多少pf不懂不要乱...

1、一样的。CKSEL0-4都打1。只要大于等于8M的外接晶振都是这样设置，这也是最高频率设置方案。PS：写错了， 是0-3，一共4个。都是1。

2、常用的是晶体，需要配合两个瓷片电容，一般15pF~33pF，和单片机，电路正确，器件正常，上电就开始起振。但不会起震。晶振上电就可以独立输出信号，不需要其它器件配合。有些单片机内部也有振荡电路，上电就开始起振。

3、频率相对稳定、不停振。这样经验法就可以确定了，一般PCB布线时没法克服分布电容，元器件、线路分布电容值不确定，一般为3到5PF，所以根据经验，这两个负载电容取15到22PF对大多数晶振都可以使其工作在标称频率附近。

51单片机晶振电路电容问题

若峰峰值小于70%，可恰当减小OSCI及OSCO管脚上的外接负载电容。反之，若峰峰值靠近电源电压且振荡波形发生畸变，则可恰当增加负载电容。

晶振上电启动后会震荡产生脉动波形，相当于提供给单片机的大动脉。但伴随着往往有偕波参杂在主波形中，影响单片机的工作稳定性。

-33pf都可以，一般用的是15P和30P，晶振大小影响不大，常用的4M和12M以及10592M和20M 24M都用的30P，单片机内部有相应的整形电路。

在震荡电路中，相连的电容因该是耦合电容，这个容值要是太大，就会造成容抗这增加，这样信号源通过会被大幅度消减或者压根就过不去，会影响到整个电路的运行。

单片机晶振电路的两个瓷片电容是20～33PF 。51单片机最小系统：时钟电路51 单片机上的时钟管脚：XTAL1（19 脚） ：芯片内部振荡电路输入端。XTAL2（18 脚） ：芯片内部振荡电路输出端。

这个好像没有固定的计算方法，大多靠经验来选择，无源晶振的匹配电容一般最好选择两个不等值的电容，一大一小可以加快起振。在许可范围内尽量选小一些的电容，大些的电容虽有利于振荡的稳定，但会增加起振时间。